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阅读次数: 日期:2016-12-28

氮化镓(GaN)最先庖代砷化镓(GaAs),作为研制新型雷达体系和滋扰机的T/R(支/发)模块等军用电子器件的质料。工业界的观察家早已展望,一旦质料更轻易消费,且处理可靠性题目,新型半导体将庖代老式的GaAs手艺。 美国海军的两个主要项目:新一代滋扰机(NGJ)吊舱和空中和导弹防备雷达(AMDR)正在翻开新技术运用的开关。那两个项目皆需求发射下功率旌旗灯号,依托新材料才气知足机能目的。取GaAs装备比拟,GaN晶体管能够正在更高的温度条件下运转,正在电压更大的条件下事情。

雷声公司刚被选中研制NGJ吊舱的手艺,该公司称,新材料效力进步数倍,关于雷同尺寸的器件,GaN射频功放供应的功率比GaAs多5倍。少数下功率GaN MMIC(单片微波集成电路)可用于庖代大量低功率GaAs MMIC,雷同功率的GaN芯片尺寸明显下落。正在NGJ项目,BAE体系公司竞标失利,正在背美国政府问责办公室抗议,BAE供应的也是基于GaN的T/R模块。

美国海军的AMDR项目将庖代洛•马公司SPY-1相控阵雷达,AMDR也接纳GaN手艺。以上两个项目仅仅是冰山一角,一旦GaN手艺成熟,将正在浩瀚范畴最先庖代GaAs手艺。以雷声公司为例,正在扶植人造钻石的片材,取基于GaN的半导体联合运用后,能够进一步加强冷却机能。若是可以或许实现,该手艺将成为将来雷达、通讯和电子战体系的中心,这些体系将比现在更小且更高效。

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